Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (9) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Dongale T$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 11 Представлено документи з 1 до 11 |
|||
| 1. | 
Nawale A. B. Numerical Investigation of Spatial Effects on the Silicon Solar Cell [Електронний ресурс] / A. B. Nawale, R. A. Kalal, A. R. Chavan, T. D. Dongale, R. K. Kamat // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02002-1-02002-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_4 Investigating the effect of device dimension on the silicon solar cell, by using the PC1D numerical simulation environment, we report strong correlation of efficiency of the silicon solar cell with its size. The results showcase finer efficiency at the lower n-type thickness and higher p-type thickness. The internal quantum efficiency (IQE) and external quantum efficiency (EQE) too exhibit variation with the device size. As a whole, based on the statistical analysis, especially regression, variance, and best subsets selection, the paper depicts that the p-type thickness. ISC and VOC are the preeminent parameters to model the silicon solar cell. | ||
| 2. |
Dongale T. D. Piecewise Linear and Nonlinear Window Functions for Modelling of Nanostructured Memristor Device [Електронний ресурс] / T. D. Dongale, P. J. Patil, K. P. Patil, S. B. Mullani, K. V. More, S. D. Delekar, P. K. Gaikwad, R. K. Kamat // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03012-1-03012-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_14 The present paper reports two new window functions viz. piecewise linear window function and nonlinear window function for modelling of the nanostructured memristor device. The piecewise linear window function can be used for modelling of symmetric pinched hysteresis loop in I - V plane (for digital memory applications) and the nonlinear window function can be used for modelling of nonlinear pinched hysteresis loop in I - V plane (for analog memory applications). Flexibility in the parameter selection is the main attractive feature of these window functions. | ||
| 3. |
Dongale T. D. Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices [Електронний ресурс] / T. D. Dongale, K. V. Khot, S. V. Mohite, S. S. Khandagale, S. S. Shinde, V. L. Patil, S. A. Vanalkar, A. V. Moholkar, K. Y. Rajpure, P. N., Patil P. S., Gaikwad P. K., Kamat R. K. Bhosale // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04030-1-04030-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__32 In this paper, we report the effect of filament radius and filament resistivity on the ZnO, TiO | ||
| 4. |
Pawar A. V. Simulation Study of Field-Effect Transistor Based Cylindrical Silicon Nanowire Biosensor: Effect of Length and Radius of the Nanowire [Електронний ресурс] / A. V. Pawar, S. S. Kanapally, A. P. Chougule, P. P. Waifalkar, K. V. More, R. K. Kamat, T. D. Dongale // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01005-1-01005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_7 Проведено моделювання біосенсора у вигляді кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора і вивчення впливу довжини та радіусу нанодроту на різні функціональні характеристики біосенсора. Для цього дослідження було використано інструмент моделювання BioSensorLab з відкритим вихідним кодом. Зокрема, вивчено вплив довжини і радіусу нанодоту на модуляцію провідності по відношенню до щільності молекул-мішеней, модуляцію провідності щодо концентрації буферних іонів, варіацію потенціалу поверхні нанодроту щодо pH, зміну відношення сигнал/шум щодо щільності рецептора, варіацію часу осадження щодо концентрації і зміну щільності захопленої молекули щодо часу виявлення. Уо уваги було взято електростатичну взаємодію між молекулами рецептора і біомолекулами-мішенями, що базується на моделі дифузійного захоплення. Результати показали, що більш високу модуляцію провідності можна досягти за більш високій щільності молекул-мішеней з більшим радіусом кремнієвого нанодроту. З іншого боку, максимальна модуляція провідності спостерігається за меншого радіусу кремнієвого нанодроту з меншою концентрацією буферних іонів. Результати моделювання показали, що поверхневий потенціал нанодроту має тенденцію до зменшення, оскільки величина pH зростає в обох випадках (довжина і радіус нанодроту). У свою чергу, суттєвого впливу на відношення сигнал/шум через зміну довжини і радіусу нанодроту не спостерігалося. Було також виявлено, що довжина нанодроту не впливає на час осадження, проте на нього значним чином впливає зміна радіуса нанодроту. Таким чином, довжина і радіус нанодроту суттєво впливають на робочі параметри біосенсора на базі польового транзистора. | ||
| 5. |
Kadam K. D. Shape Dependent Optical Properties of GaAs Quantum Dot: A Simulation Study [Електронний ресурс] / K. D. Kadam, S. L. Patil, H. S. Patil, P. P. Waifalkar, K. V. More, R. K. Kamat, T. D. Dongale // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01013-1-01013-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_15 Розглянуто моделювання квантової точки GaAs з різними формами, такими як кубічна, циліндрична, куполоподібна, конусоподібна і пірамідальна. Проведено моделювання різних структур і досліджено оптичні властивості залежно від форми квантової точки, використовуючи інструмент моделювання з відкритим вхідним кодом, доступний на платформі NanoHub. За його допомогою можна моделювати як прості, так і багатошарові структури нульової розмірності, розв'язуючи рівняння Шредінгера. Одержані результати свідчать про те, що енергетичні стани змінюються залежно від форми квантової точки, для конусоподібних точок спостерігаються більш високі енергетичні стани. Крім того, моделювання показало, що кубічна і циліндрична форми мають максимальне поглинання, тоді як мінімальне поглинання спостерігається для куполоподібної форми. Більш високе поглинання відбувається за рахунок більшої площі поверхні кубічної і циліндричної форм, тоді як недостатній кут поляризації падаючого світла знижує поглинання для структури куполоподібної форми. Крім того, поглинальна властивість суттєво не змінюється за різних температур середовища. Результати інтегрованого поглинання показали, що кубічна і циліндрична форми мають більш високе поглинання, тоді як мінімальне поглинання спостерігається для конусоподібної і пірамідальної форм структур нульової розмірності. Наведені результати відкривають шлях до оптимізації різних параметрів квантової точки для оптоелектронних приладів. | ||
| 6. |
Khot S. S. DC, AC, and Transient Simulation Study of MEMS Cantilever [Електронний ресурс] / S. S. Khot, A. A. Patil, V. N. Mokashi, P. P. Waifalkar, K. V. More, R. K. Kamat, T. D. Dongale // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02015-1-02015-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_17 Проведено дослідження моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера ME MS. У роботі змодельовано прямокутну систему відкритого типу. У даному випадку автори змінювали довжину кантілівера MEMS (платиновий електрод) і вивчали його вилив у наступних випадках: вплив напруги на ємність і положення променю (аналіз постійного струму), положення променю у часовій області, ємність і напруга (аналіз змінного струму) та положення променю у часовій області, ємність і напруга (аналіз перехідних процесів). Результати показали, що довжина активного електрода кантілівера MEMS значно впливає на проду ктивність MEMS. Крім того, напруга на кантілівер і MEMS лінійно зростає з часом і виявилося, що вона не залежить від довжини електрода і діелектричних матеріалів, які використовувалися в розглянутій системі. | ||
| 7. |
Khairnar N. A. Resistive Switching Property of Bmim(Br) Ionic Liquid under the Influence of ZnO Nanorods [Електронний ресурс] / N. A. Khairnar, A. A. Patil, Sh. H. Rane, S. S. Nirmale, S. P. Shinde, R. K. Kamat, T. D. Dongale, K. Deok-kee // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 2. - С. 02003-1-02003-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_2_6 | ||
| 8. |
Patil P. J. Effect of Conductive Filament Temperature on ZrO2 based Resistive Random Access Memory Devices [Електронний ресурс] / P. J. Patil, N. A. Ahir, S. Yadav, Ch. C. Revadekar, K. V. Khot, R. K. Kamat, T. D. Dongale, K. Deok-kee // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 2. - С. 02008-1-02008-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_2_11 | ||
| 9. |
Amate R. U. Bipolar Resistive Switching Characteristics of Ex-situ Synthesized TiO2-ZnO Nanocomposite [Електронний ресурс] / R. U. Amate, P. J. Morankar, N. B. Mullani, K. V. Khot, R. K. Kamat, T. D. Dongale, K. Deok-kee // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 2. - С. 02025-1-02025-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_2_28 | ||
| 10. |
Nirmal K. A. Resistive Switching Characteristics of Electrochemically Anodized Sub-stoichiometric Ti6O Phase [Електронний ресурс] / K. A. Nirmal, Sh. T. Killedar, T. R. Desai, K. V. Khot, R. K. Kamat, T. D. Dongale, K. Deok-kee // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 2. - С. 02029-1-02029-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_2_32 | ||
| 11. |
Patil R. R. Resistive Switching Memory Properties of Electrodeposited Cu2O Thin Films [Електронний ресурс] / R. R. Patil, Sh. V. Patil, A. M. Sabnis, K. V. Khot, R. K. Kamat, T. D. Dongale, K. Deok-kee // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 2. - С. 02035-1-02035-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_2_38 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |